Gat
Galliumfosfide (GaP) kristal is een infrarood optisch materiaal met een goede oppervlaktehardheid, hoge thermische geleidbaarheid en breedbandtransmissie.Vanwege de uitstekende uitgebreide optische, mechanische en thermische eigenschappen kunnen GaP-kristallen worden toegepast op militair en ander commercieel hightechgebied.
| Basiseigenschappen | |
| Kristal structuur | Zink Blende |
| Groep van symmetrie | Td2-F43m |
| Aantal atomen in 1 cm3 | 4.94·1022 |
| Auger recombinatie coëfficiënt | 10-30cm6/s |
| Debye temperatuur | 445 K |
| Dikte | 4,14 g cm-3 |
| Diëlektrische constante (statisch) | 11.1 |
| Diëlektrische constante (hoge frequentie) | 9.11 |
| Effectieve elektronenmassaml | 1.12mo |
| Effectieve elektronenmassamt | 0,22mo |
| Effectieve gatmassa'smh | 0.79mo |
| Effectieve gatmassa'smlp | 0,14mo |
| Elektronenaffiniteit | 3.8 eV |
| Roosterconstante | 5.4505 A |
| Optische fonon-energie | 0,051 |
| technische parameters | |
| Dikte van elk onderdeel: | 0,002 en 3 +/-10% mm |
| Oriëntatie | 110 — 110 |
| Oppervlaktekwaliteit | scr-dig 40-20 — 40-20 |
| Vlakheid | golven bij 633 nm – 1 |
| parallellisme | boog min < 3 |
