GaSe-kristallen
Met behulp van een GaSe-kristal werd de uitgangsgolflengte afgestemd in het bereik van 58,2 µm tot 3540 µm (van 172 cm-1 tot 2,82 cm-1), waarbij het piekvermogen 209 W bereikte. Het uitgangsvermogen van deze THz werd aanzienlijk verbeterd. bron van 209 W tot 389 W.
ZnGeP2-kristallen
Aan de andere kant werd, op basis van DFG in een ZnGeP2-kristal, de uitgangsgolflengte afgestemd in het bereik van respectievelijk 83,1–1642 µm en 80,2–1416 µm voor configuraties met twee fasen. Het uitgangsvermogen heeft 134 W bereikt.
GaP-kristallen
Met behulp van een GaP-kristal werd de uitgangsgolflengte afgestemd in het bereik van 71,1−2830 µm, terwijl het hoogste piekvermogen 15,6 W was. Het voordeel van het gebruik van GaP ten opzichte van GaSe en ZnGeP2 ligt voor de hand: kristalrotatie is niet langer vereist om de golflengte af te stemmen. , hoeft men alleen maar de golflengte van één mengbundel af te stemmen binnen een bandbreedte van slechts 15,3 nm.
Naar samenvatting
De conversie-efficiëntie van 0,1% is ook de hoogste die ooit is bereikt voor een tafelmodelsysteem dat een in de handel verkrijgbaar lasersysteem als pompbron gebruikt. De enige THz-bron die kan concurreren met de GaSe THz-bron is een vrije-elektronenlaser, die extreem omvangrijk is en verbruikt een enorme elektrische stroom.Bovendien kunnen de uitgangsgolflengten van deze THz-bronnen in extreem brede bereiken worden afgestemd, in tegenstelling tot de kwantumcascadelasers die elk slechts een vaste golflengte kunnen genereren. Daarom zouden bepaalde toepassingen die kunnen worden gerealiseerd met behulp van breed afstembare monochromatische THz-bronnen niet mogelijk zijn. mogelijk als je in plaats daarvan vertrouwt op de subpicoseconde THz-pulsen of kwantumcascadelasers.
